해설 보기
정답SRAM도 휘발성 메모리이므로 "SRAM은 비휘발성"이라는 설명은 틀렸습니다.
핵심 개념
DRAM과 SRAM의 특성 비교
반도체 메모리인 RAM은 전원이 끊기면 내용이 사라지는 휘발성(volatile) 메모리라는 점이 대전제입니다. DRAM은 축전기(capacitor)의 충전 상태로 1비트를 저장하기 때문에 셀 구조가 트랜지스터 1개+커패시터 1개로 단순해 집적도가 높고 값이 싸지만, 전하가 새어나가므로 주기적인 재충전(refresh)이 필요합니다. SRAM은 플립플롭(트랜지스터 6개 정도)으로 비트를 유지해 refresh가 필요 없고 속도가 훨씬 빠르지만, 집적도가 낮고 비싸서 주로 캐시 메모리에 쓰입니다. 둘 다 휘발성이며, 비휘발성 메모리는 ROM·플래시 메모리 계열이라는 점을 구분해 두셔야 합니다.
선지별 해설
①DRAM과 SRAM은 모두 휘발성 메모리여서 전원이 끊기면 내용이 사라집니다. SRAM은 refresh가 필요 없을 뿐 전원 없이 기억을 유지하지는 못하므로 이 선지가 옳지 않은 설명이며, 따라서 정답입니다.
②DRAM 셀은 커패시터에 전하를 채웠는지 여부로 0과 1을 구분합니다. 전하가 누설되기 때문에 일정 시간마다 재충전(refresh)해 주어야 하는 것도 이 구조 때문입니다.
③SRAM은 접근 속도가 빠르고 refresh가 불필요해 CPU 내부·외부의 캐시 메모리로 사용됩니다. 대신 단가와 면적 부담이 커서 주기억장치 전체를 SRAM으로 만들지는 않습니다.
④플립플롭 기반의 SRAM은 커패시터 충·방전을 기다릴 필요가 없어 일반적으로 DRAM보다 접근 속도가 빠릅니다. 그래서 계층적 메모리에서 캐시(SRAM)가 주기억장치(DRAM)보다 상위에 놓입니다.
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정답힙 정렬만 최악의 경우에도 O(n log n)이고, 나머지 셋은 O(n²)입니다.
핵심 개념
정렬 알고리즘의 최악 시간복잡도
정렬 알고리즘은 평균과 최악의 시간복잡도가 다를 수 있어 문제에서 어느 경우를 묻는지 확인해야 합니다. 최악의 경우 O(n²)인 대표적 알고리즘은 삽입 정렬, 선택 정렬, 버블 정렬이며, 퀵 정렬도 피벗이 최악으로 잡히면 O(n²)입니다. 반면 힙 정렬과 합병(병합) 정렬은 최악의 경우에도 O(n log n)을 보장합니다. 쉘 정렬은 삽입 정렬을 간격(gap) 단위로 개선한 것이라 평균 성능은 좋아지지만, 일반적인 간격 수열 기준 최악 시간복잡도는 O(n²)로 봅니다. 이 문제는 나머지와 복잡도가 다른 하나를 골라내는 유형입니다.